Automatische Erkennung von Bauteiltypen • Automatische Erkennung von Pinbelegungen • Identifizierung spezieller Merkmale wie Schutzdioden und Widerstands-Shunts • Bipolartransistoren: Verstärkungs- und Leckstrommessungen, Silizium- und Germanium-Erkennung • Gate-Threshold-Messung für Sensoren im Verbesserungsmodus • Halbleiter-Durchlassspannungsmessung für Dioden, LEDs und Transistor-Basis-Emitter-Übergänge • Automatische und manuelle Abschaltung. Grundlegende Produktinformationen: •• Primärfarben: Schwarz •• Zusätzliche Farben: Blau •• Tiefeneinheit: 20 mm •• Höheneinheit: 70 mm •• Breiteneinheit: 103 cm •• Gewichtseinheit: 98 g • Technische Daten: •• Maximaler Spitzenprüfstrom zu S/C: 5,5 Ma •• Maximale Spitzenprüfspannung über O/S: 5,1 V •• Diodenspezifikationen: Prüfstrom: 5,0 Ma Spannungsgenauigkeit: -2 % -20 Mv bis +2 % +20 Mv Vf für die Leitungsidentifikation: 1,50 V - 4,00 V Kurzschlussschwelle: 10 Ohm •• Scr/Triac-Spezifikationen: Gate-Teststrom: 4,5 mA Lastteststrom: 5,0 mA •• Transistor-Spezifikationen: Verstärkungsbereich (HFE): 4 - 65.000 Verstärkungsgenauigkeit: ± 3 % ± 5 Hfe Vceo-Testspannung: 2,0 V - 3,0 V Vbe-Genauigkeit: -2 % -20 mV bis +2 % +20 mV Vbe für Darlington (Shunted): 0,95 V - 1,80 V (0,75 V - 1,80 V) Basis-Emitter-Shunt-Schwelle: 50 kOhm - 70 kOhm Bjt Kollektor Prüfstrom: 2,45 Ma - 2,55 Ma Bjt Akzeptabler Leckstrom: 0,7 Ma Mosfet: Gate-Schwellenwertbereich: 0,1 V - 5,0 V Schwellenwertgenauigkeit: -2 % -20 mV bis +2 % +20 Mv Drainage-Prüfstrom: 2,45 Ma - 2,55 Ma Anschlusswiderstand: 8 kOhm Erschöpfungs-Drain-Teststrom: 4,5 mA Jfet Drain-Source-Teststrom: 0,5 Ma - 5,5 Ma • Umgebungsdaten: •• Betriebstemperaturbereich: 0-50 °C • Stromversorgung: •• Enthaltene Batterien: Nein •• Anzahl der Batterien: 1 •• Batteriespannung: 1,5 V •• Batteriezusammensetzung: Alkaline •• Batterie IEC Größe: Aaa (LR03, R03, Fr03, Hr03, Kr03, Zr03, 24A, 24D, 24Lf, Um4, Micro, Mn2400, Mx2400, Mv2400).