Das erste Buch zu diesem Thema ist eine umfassende Einführung in die Modellierung und den Entwurf von sperrbaren Feldeffekttransistoren (FETs). Beginnend mit einer Diskussion der Vorteile und Grenzen der Technologie geben die Autoren auch einen gründlichen Überblick über veröffentlichte analytische Modelle für Double-Gate- und Nanodraht-Konfigurationen, bevor sie eine allgemeine Einführung in das ladungsbasierte Modell der EPFL für verbindungslose FETs geben. Wichtige Merkmale werden nach und nach eingeführt, darunter Nanodraht im Vergleich zur Äquivalenz von Doppelgattern, technologischer Bauraum, verbindungslose FET-Leistungen, kurze Kanaleffekte, Transkapazitäten, asymmetrischer Betrieb, thermisches Rauschen, Schnittstellenfallen und der Sperrschicht-FET. Zusätzliche Funktionen, die mit Biosensoranwendungen kompatibel sind, werden ebenfalls diskutiert. Dies ist eine wertvolle Ressource für Studenten und Forscher, die mehr über dieses neue und sich schnell entwickelnde Gebiet erfahren möchten. Sprache: Englisch