Die Herstellung von Flash-Speichern, der dominierenden nichtflüchtigen Speichertechnologie, steht vor großen technischen Hindernissen. So sehr, dass einige aufstrebende Technologien als Alternativen zu Flash-Speichern im Nano-Regime vorgeschlagen wurden. Nonvolatile Memory Design: Magnetic Resistive and Phase Changing stellt drei vielversprechende Kandidaten vor: Phasenwechselspeicher, magnetischer Direktzugriffsspeicher und resistiver Direktzugriffsspeicher. Der Text veranschaulicht den grundlegenden Speichermechanismus dieser Technologien und untersucht ihre Unterschiede zu Flash-Speichertechniken. Basierend auf den neuesten Fortschritten diskutieren die Autoren wichtige Designmethoden sowie die verschiedenen Funktionen und Fähigkeiten der drei nichtflüchtigen Speichertechnologien. . Sprache: Englisch