1 Einleitung. - 2 SOI-Materialien. - 2. 1 Einleitung. - 2. 2 Heteroepitaxiale Techniken. - 2. 3 Dielektrische Isolierung (DI). - 2. 4 Schmelzen und Rekristallisation von Polysilizium. - 2. 5 Homöpitaxiale Techniken. - 2. 6 FIPOS. - 2. 7 Ionenstrahlsynthese eines vergrabenen Isolators. - 2. 8 Wafer-Bonding und Etch Back (BESOI). - 2. 9-Schicht-Transfertechniken. - 2. 10 Verspanntes Silizium auf Isolator (SSOI). - 2. 11 Silizium auf Diamant. - 2. 12 Silizium-auf-Nichts (SON). - 3 SOI-Materialcharakterisierung. - 3. 1 Einleitung. - 3. 2 Messung der Schichtdicke. - 3. 3 Kristallqualität. - 3. 4 Lebensdauer des Trägers. - 3. 5 Silizium/Isolator-Schnittstellen. - 4 SOI-CMOS-Technologie. - 4. 1 SOI-CMOS-Verarbeitung. - 4. 2 Isolierung vor Ort. - 4. 3-Kanal-Dotierungsprofil. - 4. 4 Quellen- und Abflusstechnik. - 4. 5 Tor-Stapel. - 4. 6 SOI-MOSFET-Layout. - 4. 7 Vergleich des SOI-Bulk-CMOS-Designs. - 4. 8 ESD-Schutz. - 5 Der SOI-MOSFET. - 5. 1 Kapazitäten. - 5. 2 Vollständig und teilweise entladene Geräte. - 5. 3 Schwellenspannung. - 5. 4 Strom-Spannungs-Kennlinien. - 5. 5 Transkonduktanz. - 5. 6 Extraktion grundlegender Parameter. - 5. 7 Unterschwellen-Steigung. - 5. 8 ultradünne SOI-MOSFETs. - 5. 9 Impaktionisation und Hochfeldeffekte. - 5. 10 Floating-Body- und parasitäre BJT-Effekte. - 5. 11 Selbstheizung. - 5. 12 MOSFET im Akkumulationsmodus. - 5. 13 Einheitliche Körperwirkungsdarstellung. - 5. 14 HF-MOSFETs. - 5. 15 CAD-Modelle für SOI-MOSFETs. - 6 Weitere SOI-Geräte. - 6. 1 SOI-MOSFETs mit mehreren Gates. - 6. 2 MTCMOS/DTMOS. - 6. 3 Hochspannungsgeräte. - 6. 4-Sperrschicht-Feldeffekttransistor. - 6. 5 Luistor. - 6. 6 Bipolartransistoren. - 6. 7 Fotodioden. - 6. 8 G4 FET. - 6. 9 Geräte mit Quanteneffekt. - 7 Der SOI-MOSFET in einer rauen Umgebung. - 7. 1 Ionisierende Strahlung. - 7. 2 Betrieb bei hohen Temperaturen. - 8 SOI-Schaltkreise. - 8. 1 Einleitung. - 8. 2 Mainstream-CMOS-Anwendungen. - 8. 3 Nischenanwendungen. - 8. 4 Dreidimensionale Integration. Sprache: Englisch